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    化學氣相沉積薄膜技術

    CVD——Chemical vapor deposition

    概      念:氣態反應物在一定條件下,通過化學反應,將反應形成的固相產物沉積于基片表面,形成固態薄膜的方法。 

    基本特征:由反應氣體通過化學反應沉積實現薄膜制備!

    設備的基本構成:

    主要優勢:1)能形成多種金屬、非金屬和化合物薄膜;
                      2)組分易于控制,易獲得理想化學計量比,薄膜純度高;
                      3)成膜速度快、工效高(沉積速率 >>PVD、單爐處理批量大);
                      4)沉積溫度高、薄膜致密、結晶完整、表面平滑、內部殘余應力低;
                      5)沉積繞射性好,可在復雜不規則表面(深孔、大臺階)沉積;

    主要缺點:1)沉積溫度高,熱影響顯著,有時甚至具有破壞性;
                      2)存在基片-氣氛、設備-氣氛間反應,影響基片及設備性能及壽命;
                      3)設備復雜,工藝控制難度較大。

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